奧氏體化
奧氏體化
根據鐵碳圖，其完全奧氏體化的溫度865℃，考慮到爐內測溫點高于鑄件的溫度及轉變動力學，故適宜的完成奧氏體化溫度為880℃~920℃，當Si、P較高時，采用較高的奧氏體化溫度對于低合金的ADI合金元素Cu、Ni、Mo等可以降低奧氏體溫度，鑄造組織中若含有碳化物，則奧氏體化加熱溫度和保溫時間應適當提高。ADI工件奧氏體處理工藝過程應根據加熱爐的工況、工件轉載量、壁厚、升溫速度、爐內溫度均勻程度等具體情況而定，以便每個工件的最大斷面完成轉為奧氏體為準，必要時可采用分段加熱方式，奧氏體化保溫時間視需求可在60~240min。
對于雙相ADI，其奧氏體化處理在稱為臨界奧氏體溫度區間內進行。該溫度在780℃~850℃之間，此時，處在（α+γ）兩相區內。加熱時，奧氏體現在共晶團內的鐵素體間的界面形核長大，形成間斷或連續的網狀組織，其生長速度受碳擴散速度控制，故一切影響碳擴散速度的因素，皆影響奧氏體的生長速度，在臨界奧氏體化溫度區間內，隨著溫度的升高和保溫時間延長，奧氏體數量增加，先析出鐵素體數量少，根據對性能的不同要求，保溫時間再120~180min。
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